是德B1500A功率器件分析仪/曲线追踪仪是用于评估 pA 级至 10 kV/1500 A 功率器件的一体化解决方案。具备精确测量 10 µs 脉冲及 µΩ 级导通电阻的能力。专用于测试高功率半导体器件（如 IGBT、SiC、GaN），支持从亚皮安级电流到 10 kV/1500 A 的宽范围测量。

是德B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪是用于评估 pA 级至 10 kV/1500 A 功率器件的一体化解决方案。具备精确测量 10 µs 脉冲及 µΩ 级导通电阻的能力。专用于测试高功率半导体器件（如 IGBT、SiC、GaN），支持从亚皮安级电流到 10 kV/1500 A 的宽范围测量。

CS-12800/CS-15800功率曲线图示仪适用于功率设备的特性测量，支持超高电压/大电流。精准捕捉功率器件的动态特性，助力研发优化与生产良率提升，实测使IGBT模块测试良率提升至98%。“可覆盖功率器件从研发到量产的全流程测试需求，适用于模块测试、疲劳试验等复杂场景。

CS-10000功率曲线图示仪适用于功率设备的特性测量，支持超高电压/大电流。精准捕捉功率器件的动态特性，助力研发优化与生产良率提升，实测使IGBT模块测试良率提升至98%。“可覆盖功率器件从研发到量产的全流程测试需求，适用于模块测试、疲劳试验等复杂场景。

CS-8000系列半导体特性曲线图示仪适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的特性测量。是一种用于测量和分析半导体器件电特性的专业仪器，它能够通过图形化的方式直观展示半导体器件在不同电压、电流条件下的特性曲线，如I-V曲线、C-V曲线等，为半导体器件的研发、生产和质量控制提供重要依据。

CS-5000系列半导体特性曲线图示仪适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的特性测量。是一种用于测量和分析半导体器件电特性的专业仪器，它能够通过图形化的方式直观展示半导体器件在不同电压、电流条件下的特性曲线，如I-V曲线、C-V曲线等，为半导体器件的研发、生产和质量控制提供重要依据。

CS-5000系列半导体特性曲线图示仪适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的特性测量。是一种用于测量和分析半导体器件电特性的专业仪器，它能够通过图形化的方式直观展示半导体器件在不同电压、电流条件下的特性曲线，如I-V曲线、C-V曲线等，为半导体器件的研发、生产和质量控制提供重要依据。

CS-3000系列半导体特性曲线图示仪适用于IGBT、MOSFET、晶体管、二极管等各种半导体的特性测量。是一种用于测量和分析半导体器件电特性的专业仪器，它能够通过图形化的方式直观展示半导体器件在不同电压、电流条件下的特性曲线，如I-V曲线、C-V曲线等，为半导体器件的研发、生产和质量控制提供重要依据。